MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal Vishay SI5504BDC-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4 A, 1206-8 ChipFET

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Código RS:
256-7371
Nº ref. fabric.:
SI5504BDC-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

1206-8 ChipFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de canal P Nand de 30 V (D-S) de 4 A, 3,7 A, 3,12 W y 3,1 W de montaje superficial de Vishay Semiconductor sus aplicaciones son dc, dc para aplicaciones de interruptor de carga portátil.

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