MOSFET, Tipo P, Tipo N-Canal Vishay SI5513CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, ChipFET de 8 pines
- Código RS:
- 256-7372
- Nº ref. fabric.:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7372
- Nº ref. fabric.:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | ChipFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado ChipFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La matriz mosfet de canal N y P de 20 V, 4 A, 3,7 A y 3,1 W de Vishay Semiconductor chipFET 1206-8 de montaje superficial sin halógenos según la definición IEC 61249-2-21.
Mosfets de potencia TrenchFET
100 % Rg probado
Conformidad con la directiva RoHS 2002/95/EC
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