MOSFET, Canal N-Canal Vishay SI5908BDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, Mejora, 1206-8 ChipFET de 8 pines
- Código RS:
- 735-215
- Nº ref. fabric.:
- SI5908BDC-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | 1206-8 ChipFET | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.05Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 1.975mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado 1206-8 ChipFET | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.05Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 1.975mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
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