MOSFET, Canal N-Canal Vishay SI5908BDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, Mejora, 1206-8 ChipFET de 8 pines

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Código RS:
735-215
Nº ref. fabric.:
SI5908BDC-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

1206-8 ChipFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.05Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE

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