MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal SI5517DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, ChipFET PowerPAK
- Código RS:
- 256-7375
- Nº ref. fabric.:
- SI5517DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 256-7375
- Nº ref. fabric.:
- SI5517DU-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 20 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 6 A | |
| Encapsulado | ChipFET PowerPAK | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.2 V | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 1.4 Ω | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 20 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 6 A | ||
Encapsulado ChipFET PowerPAK | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.2 V | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 1.4 Ω | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Certificaciones y estándares No | ||
The Vishay Semiconductor Nand P-channel 20 V (D-S) mosfet 6A 8.3W surface mount its applications are complementary mosfet for portable devices Ideal for buck-boost circuits.
TrenchFET power mosfet
Small footprint area
Low on-resistance
Thin 0.8 mm profile
100% Rg tested
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