MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal SI5517DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, ChipFET PowerPAK

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7375
Nº ref. fabric.:
SI5517DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

ChipFET PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de canal P Nand de 20 V (D-S) de 6 A y 8,3 W de Vishay Semiconductor de montaje en superficie. Sus aplicaciones son mosfet complementarios para dispositivos portátiles. Ideal para circuitos de bajada.

MOSFET de potenciaTrenchFET

Área de huella pequeña

Baja resistencia de conexión

Perfil fino de 0,8 mm

Probado al 100 % Rg

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