MOSFET Vishay SI5517DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, PowerPAK ChipFET

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7375
Nº ref. fabric.:
SI5517DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK ChipFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

El mosfet de canal P Nand de 20 V (D-S) de montaje superficial de 6 A y 8,3 W de Vishay Semiconductor es un mosfet complementario para dispositivos portátiles, ideal para circuitos de bajada de potencia.

MOSFET de potencia TrenchFET
Área de huella pequeña
Baja resistencia de conexión
Perfil fino de 0,8 mm
100% Rg probado

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