MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 9 A, Mejora, ECH de 8 pines

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Código RS:
162-9318
Nº ref. fabric.:
ECH8310-TL-H
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

ECH

Serie

ECH8310

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.9mm

Altura

0.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.3 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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