MOSFET STMicroelectronics STB7ANM60N, VDSS 600 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
145-8812
Nº ref. fabric.:
STB7ANM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

MDmesh

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

900 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

45 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Longitud

6.6mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

6.2mm

Altura

2.4mm

COO (País de Origen):
CN

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics



Transistores MOSFET, STMicroelectronics

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