MOSFET Infineon IPD30N03S2L10ATMA1, VDSS 30 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

OptiMOS™

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

100 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

31 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Ancho

6.22mm

Altura

2.41mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C