MOSFET Infineon IRLR120NTRPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

265 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

48 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +16 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 5 V

Longitud

6.73mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.39mm