MOSFET Infineon IRFS3306PBF, VDSS 60 V, ID 160 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

160 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

230 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

4.06mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

85 nC a 10 V

Ancho

9.65mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

14.61mm