MOSFET Infineon IPD70P04P4L08ATMA1, VDSS 40 V, ID 70 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Serie

OptiMOS™ -T2

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7,8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

75 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +16 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

71 nC a 10 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.41mm