MOSFET Infineon IPD90N04S304ATMA1, VDSS 40 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

OptiMOS T

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

136 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.5mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

6.22mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.3mm