MOSFET Infineon IPD90N03S4L03ATMA1, VDSS 30 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

OptiMOS™ -T2

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

94 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +16 V

Longitud

6.5mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

2.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V