MOSFET Infineon IPD90N03S4L03ATMA1, VDSS 30 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
166-1127
Nº ref. fabric.:
IPD90N03S4L03ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

OptiMOS™ -T2

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

94 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +16 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Si

Longitud

6.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

6.22mm

Altura

2.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de potencia OptiMOS™ T2 de Infineon


La nueva gama OptiMOS ™ T2 de Infineon ofrece una gran variedad de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y arrancadores eléctricos. La nueva gama de productos OptiMOS™ T2 amplía las gamas existentes OptiMOS™ -T y OptiMOS™.

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Calificación AEC
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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