Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
	Tipo de Encapsulado	Power88
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	4
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	180 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	4.5V
	Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
	Disipación de Potencia Máxima	139 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
	Longitud	8mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	33 nC a 10 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Ancho	8mm
	Altura	1.05mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tensión de diodo directa	1.2V

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 650 V
	Tipo de Encapsulado Power88
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 4
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 180 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 4.5V
	Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V
	Disipación de Potencia Máxima 139 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente ±30 V
	Longitud 8mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 33 nC a 10 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Ancho 8mm
	Altura 1.05mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tensión de diodo directa 1.2V

COO (País de Origen):: PH

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 305 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 152 mΩ
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Telecommunication
Industrial
End Products:
Telecom / Server
Adapter
LED Lighting

MOSFET onsemi FCMT180N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, Power88 de 4 pines, , config. Simple

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