MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, Power88 de 4 pines

Código RS:: 178-4241
Nº ref. fabric.:: FCMT250N65S3
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, Power88 de 4 pines

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Código RS:: 178-4241
Nº ref. fabric.:: FCMT250N65S3
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	FCMT
	Encapsulado	Power88
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	250mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	24nC
	Disipación de potencia máxima Pd	90W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	8mm
	Altura	1.05mm
	Anchura	8 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie FCMT
	Encapsulado Power88
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC
	Disipación de potencia máxima Pd 90W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 8mm
	Altura 1.05mm
	Anchura 8 mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: PH

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 oC

Leadless Ultra-thin SMD package

Kelvin contact

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 210 mΩ

Moisture Sensitivity Level 1 guarantee

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

High power density

Low gate noise and switching loss

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Telecommunication

Industrial

End Products:

Telecom / Server

Adapter

LED Lighting

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, Power88 de 4 pines

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