MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PQFN de 4 pines
- Código RS:
- 185-7980
- Nº ref. fabric.:
- FCMT125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 185-7980
- Nº ref. fabric.:
- FCMT125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | FCMT | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 181W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Longitud | 8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie FCMT | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 181W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Longitud 8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No cumple
- COO (País de Origen):
- PH
700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 49 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 406 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 100 mΩ
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
LED Lighting
Adapter
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