MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PQFN de 4 pines

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Código RS:
185-7980
Nº ref. fabric.:
FCMT125N65S3
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

FCMT

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Disipación de potencia máxima Pd

181W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.05mm

Anchura

8 mm

Longitud

8mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
PH
700 V @ TJ = 150 oC

Leadless Ultra-thin SMD package

Kelvin contact

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 49 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 406 pF)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 100 mΩ

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Higher system reliability at low temperature operation

High power density

Low gate noise and switching loss

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

LED Lighting

Adapter

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