MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCMT125N65S3, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PQFN de 4 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Opciones de empaquetado:
Código RS:
185-9219
Nº ref. fabric.:
FCMT125N65S3
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

FCMT

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

181W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

8mm

Anchura

8 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
PH
700 V @ TJ = 150 oC

Leadless Ultra-thin SMD package

Kelvin contact

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 49 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 406 pF)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 100 mΩ

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Higher system reliability at low temperature operation

High power density

Low gate noise and switching loss

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

LED Lighting

Adapter

Enlaces relacionados