MOSFET onsemi FCMT125N65S3, VDSS 650 V, ID 24 A, PQFN4 de 4 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 185-9219
- Nº ref. fabric.:
- FCMT125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
3,77 €
(exc. IVA)
4,56 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,77 € | 7,54 € |
| 10 - 98 | 3,225 € | 6,45 € |
| 100 - 248 | 2,96 € | 5,92 € |
| 250 - 498 | 2,885 € | 5,77 € |
| 500 + | 2,815 € | 5,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 185-9219
- Nº ref. fabric.:
- FCMT125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No cumple
- COO (País de Origen):
- PH
Datos del Producto
700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 49 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 406 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 100 mΩ
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
LED Lighting
Adapter
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 49 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 406 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 100 mΩ
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
LED Lighting
Adapter
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 24 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | PQFN4 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 125 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 181 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 8mm |
| Longitud | 8mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 1.05mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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