MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, PQFN de 4 pines

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Código RS:
221-6739
Nº ref. fabric.:
NTMT190N65S3HF
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

NTMT190N

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

162W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.1 mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.

Carga de puerta ultrabaja

Baja capacitancia de salida efectiva: 316 pF

100 % a prueba de avalancha

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