MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, PQFN de 4 pines

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Código RS:
195-2502
Nº ref. fabric.:
FCMT360N65S3
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PQFN

Serie

FCMT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

8 mm

Altura

1.05mm

Longitud

8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior, velocidad dv/dt y mayor energía de avalancha. Por lo tanto, el MOSFET SUPERFET III es muy adecuado para aplicaciones de alimentación de conmutación como aplicaciones de alimentación de servidor/telecomunicaciones, adaptador e inversor solar. El encapsulado Power88 es un encapsulado de montaje en superficie ultraestrecho (1mm de altura) con un perfil bajo y tamaño pequeño (8 * 8 mm2). El MOSFET SUPERFET III en un encapsulado Power88 ofrece un excelente rendimiento de conmutación gracias a la inductancia de fuente parásita inferior y fuentes de alimentación y accionamiento separadas.

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