- Código RS:
- 195-2503
- Nº ref. fabric.:
- FCMT360N65S3
- Fabricante:
- onsemi
2980 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
2,378 €
(exc. IVA)
2,877 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
20 - 80 | 2,378 € | 47,56 € |
100 - 480 | 2,314 € | 46,28 € |
500 - 980 | 2,251 € | 45,02 € |
1000 - 1480 | 2,196 € | 43,92 € |
1500 + | 2,14 € | 42,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 195-2503
- Nº ref. fabric.:
- FCMT360N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior, velocidad dv/dt y mayor energía de avalancha. Por lo tanto, el MOSFET SUPERFET III es muy adecuado para aplicaciones de alimentación de conmutación como aplicaciones de alimentación de servidor/telecomunicaciones, adaptador e inversor solar. El encapsulado Power88 es un encapsulado de montaje en superficie ultraestrecho (1mm de altura) con un perfil bajo y tamaño pequeño (8 * 8 mm2). El MOSFET SUPERFET III en un encapsulado Power88 ofrece un excelente rendimiento de conmutación gracias a la inductancia de fuente parásita inferior y fuentes de alimentación y accionamiento separadas.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 10 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Tipo de Encapsulado | PQFN4 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 4 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 360 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V |
Disipación de Potencia Máxima | 83 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Longitud | 8mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 18 nC a 10 V |
Ancho | 8mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 1.05mm |
Tensión de diodo directa | 1.2V |
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