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    MOSFET onsemi FCMT360N65S3, VDSS 650 V, ID 10 A, PQFN4 de 4 pines, , config. Simple

    2980 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
    Unidades

    Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

    2,378 €

    (exc. IVA)

    2,877 €

    (inc.IVA)

    Unidades
    Por unidad
    Por Pack*
    20 - 802,378 €47,56 €
    100 - 4802,314 €46,28 €
    500 - 9802,251 €45,02 €
    1000 - 14802,196 €43,92 €
    1500 +2,14 €42,80 €

    *precio indicativo

    Opciones de empaquetado:
    Código RS:
    195-2503
    Nº ref. fabric.:
    FCMT360N65S3
    Fabricante:
    onsemi

    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje10 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente650 V
    Tipo de EncapsuladoPQFN4
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Conteo de Pines4
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente360 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima4.5V
    Tensión de umbral de puerta mínima2.5V
    Disipación de Potencia Máxima83 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente±30 V
    Número de Elementos por Chip1
    Longitud8mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Carga Típica de Puerta @ Vgs18 nC a 10 V
    Ancho8mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Altura1.05mm
    Tensión de diodo directa1.2V

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