MOSFET Infineon BSR202NL6327HTSA1, VDSS 20 V, ID 3,8 A, SOT-346 (SC-59) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 826-9386
- Nº ref. fabric.:
- BSR202NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 826-9386
- Nº ref. fabric.:
- BSR202NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3,8 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-346 (SC-59) | |
| Serie | OptiMOS™ 2 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 33 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.2V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.7V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -12 V, +12 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 1.6mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 5,8 nC a 4,5 V | |
| Longitud | 3mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Material del transistor | Si | |
| Altura | 1.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 3,8 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 20 V | ||
Tipo de Encapsulado SOT-346 (SC-59) | ||
Serie OptiMOS™ 2 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 33 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 1.2V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.7V | ||
Disipación de Potencia Máxima 500 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -12 V, +12 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 1.6mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 5,8 nC a 4,5 V | ||
Longitud 3mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Material del transistor Si | ||
Altura 1.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PG-SC-59 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, PG-SC-59 de 3 pines
- onsemi Transistor digital 50 V SOT-346 (SC-59) NPN, 3 pines Simple Superficie
- onsemi Transistor digital MUN2213T1G 50 V SOT-346 (SC-59) NPN, 3 pines Simple Superficie
- onsemi Transistor digital MUN2233T1G 50 V SOT-346 (SC-59) NPN, 3 pines Simple Superficie
- onsemi Transistor digital 50 V SOT-346 (SC-59) NPN, 3 pines Simple 100 mA Superficie
- onsemi Transistor digital MUN2232T1G 50 V SOT-346 (SC-59) NPN, 3 pines Simple 100 mA Superficie
- ROHM Transistor digital DTD113ZKT146 50 V SOT-346 (SC-59) NPN, 3 pines Simple 500 mA Superficie
