MOSFET Infineon BSR202NL6327HTSA1, VDSS 20 V, ID 3,8 A, SOT-346 (SC-59) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 826-9386
- Nº ref. fabric.:
- BSR202NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 826-9386
- Nº ref. fabric.:
- BSR202NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3,8 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-346 (SC-59) | |
| Serie | OptiMOS™ 2 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 33 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.2V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.7V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -12 V, +12 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 3mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 5,8 nC a 4,5 V | |
| Ancho | 1.6mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Altura | 1.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 3,8 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 20 V | ||
Tipo de Encapsulado SOT-346 (SC-59) | ||
Serie OptiMOS™ 2 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 33 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 1.2V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.7V | ||
Disipación de Potencia Máxima 500 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -12 V, +12 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 3mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 5,8 nC a 4,5 V | ||
Ancho 1.6mm | ||
Material del transistor Si | ||
Altura 1.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon
La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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