MOSFET, N-Canal Infineon BSR202NL6327HTSA1, VDSS 20 V, ID 3.8 A, Mejora, PG-SC-59 de 3 pines

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Código RS:
273-7310
Nº ref. fabric.:
BSR202NL6327HTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

BSR202N

Encapsulado

PG-SC-59

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

800mV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.3mm

Anchura

900μm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

800μm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de señal pequeña de canal N que cumple y supera los requisitos de calidad más altos en encapsulados estándar del sector bien conocidos. Con niveles inigualables de fiabilidad y capacidad de fabricación, estos componentes son ideales para una amplia variedad de aplicaciones, incluida la iluminación de LED, ADAS, unidades de control del cuerpo, SMPS y control de motores.

Conformidad con RoHS

Valor nominal de avalancha

Acabado de cable sin plomo

Modo de mejora

Calificación conforme a AEC Q101

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