MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISC240P06LMATMA1, VDSS 60 V, ID -59 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 285-051
- Nº ref. fabric.:
- ISC240P06LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 285-051
- Nº ref. fabric.:
- ISC240P06LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -59A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -59A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal P de vanguardia diseñado para proporcionar un rendimiento excepcional en aplicaciones de gestión de potencia. Con una tensión nominal de 60 V, destaca en características de alta eficiencia y baja resistencia de encendido, lo que garantiza una pérdida de potencia mínima durante el funcionamiento. Su diseño robusto está 100% probado contra avalanchas, lo que proporciona tranquilidad para los ingenieros que buscan soluciones fiables en entornos exigentes. El transistor funciona a nivel lógico, lo que lo convierte en adecuado para una variedad de escenarios de control en aplicaciones industriales.
Moldeado por inyección para gestión térmica
Validado conforme a los estándares JEDEC para mayor fiabilidad
Conformidad con RoHS para la adhesión al medio ambiente
Materiales sin halógenos para la sostenibilidad
Optimizado para una eficiencia de conmutación de alta velocidad
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