MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC110N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-146
- Nº ref. fabric.:
- ISC110N12NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-146
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- ISC110N12NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 94W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.4nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 94W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.4nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Registra una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia energética. El transistor ofrece un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que mejora el rendimiento de conmutación. Con una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, minimiza las pérdidas por conmutación, por lo que es ideal para aplicaciones de conmutación rápida. También tiene una alta calificación en energía de avalancha, lo que garantiza su robustez en condiciones transitorias. Además, el MOSFET funciona a una temperatura de 175 °C, lo que proporciona gran resistencia térmica para aplicaciones exigentes.
Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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