MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC320N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 24 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-151
- Nº ref. fabric.:
- ISC320N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
8,34 €
(exc. IVA)
10,09 €
(inc.IVA)
Añade 110 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 4970 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,834 € | 8,34 € |
| 100 - 240 | 0,792 € | 7,92 € |
| 250 - 490 | 0,734 € | 7,34 € |
| 500 - 990 | 0,676 € | 6,76 € |
| 1000 + | 0,651 € | 6,51 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-151
- Nº ref. fabric.:
- ISC320N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel lógico, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Registra una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia energética. El transistor ofrece un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que mejora el rendimiento de conmutación. Con una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, minimiza las pérdidas por conmutación, por lo que es ideal para aplicaciones de conmutación rápida. También tiene una alta calificación en energía de avalancha, lo que garantiza su robustez en condiciones transitorias. Además, el MOSFET funciona a una temperatura de 175 °C, lo que proporciona gran resistencia térmica para aplicaciones exigentes.
Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-TDSON-8-34 de 8 pines
- MOSFET Infineon VDSS 120 V Mejora de 8 pines, 1
- MOSFET de canal N VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- MOSFET Infineon BSZ440N10NS3GATMA1 ID 18 A, PG-TDSON-8