MOSFET Infineon, Tipo N-Canal ISC037N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, PG-TDSON-8 FL, Mejora de 8 pines, 1

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Opciones de empaquetado:
Código RS:
285-045
Nº ref. fabric.:
ISC037N12NM6ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

PG-TDSON-8 FL

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

Las características del MOSFET de Infineon son un transistor de potencia de canal N de alto rendimiento que proporciona una eficiencia y fiabilidad excepcionales para una amplia gama de aplicaciones. Con características térmicas innovadoras, este componente sobresale en entornos exigentes con temperaturas de hasta 175 °C. Construido con tecnología OptiMOS de vanguardia, garantiza pérdidas de energía mínimas y capacidades de conmutación mejoradas, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de alta frecuencia. Tanto si se despliega en entornos industriales como si se utiliza en rectificación síncrona, este dispositivo cumple con la estricta conformidad RoHS, lo que garantiza que cumple los estándares ambientales modernos.

Optimizado para conmutación de alta frecuencia

Chapado de cable sin plomo para garantizar el cumplimiento

Clasificación MSL 1 para fiabilidad

La carga de recuperación inversa baja mejora la eficiencia

Alta calificación de energía de avalancha para protección

La excelente carga de puerta reduce las pérdidas de accionamiento

Enlaces relacionados