MOSFET Infineon ISC015N06NM5LF2ATMA1, VDSS 60 V, ID 275 A, PG-TDSON-8 FL de 8 pines

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Código RS:
348-845
Nº ref. fabric.:
ISC015N06NM5LF2ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

275 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

PG-TDSON-8 FL

Serie

OptiMOSTM5

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

COO (País de Origen):
CN
El FET lineal OptiMOS 5 de 60 V de Infineon en un encapsulado PQFN 5x6 mm (SuperSO8), que ofrece la resistencia de estado encendido RDS(on) más baja del sector y una amplia zona de funcionamiento seguro (SOA) a 25˚C y 125˚C. El FET lineal OptiMOS es un enfoque revolucionario que resuelve la disyuntiva entre la resistencia en estado encendido y la capacidad en modo lineal.

Alta corriente de entrada habilitada
Rápido arranque y menor tiempo de inactividad
Tamaño estándar de la industria

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