MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC019N04NM5ATMA1, VDSS 40 V, ID 170 A, TDSON-8 FL de 8 pines
- Código RS:
- 234-6997
- Nº ref. fabric.:
- ISC019N04NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,594 € | 7,97 € |
| 50 - 120 | 1,324 € | 6,62 € |
| 125 - 245 | 1,244 € | 6,22 € |
| 250 - 495 | 1,166 € | 5,83 € |
| 500 + | 1,068 € | 5,34 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 234-6997
- Nº ref. fabric.:
- ISC019N04NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 170A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | TDSON-8 FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 115W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 3.8mm | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Longitud | 4.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 170A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado TDSON-8 FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 115W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 3.8mm | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Longitud 4.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor MOSFET de canal N de transistor de potencia OptiMOS 5 de Infineon tiene una tensión de ruptura de fuente de drenaje de 40 V y una corriente de drenaje continua de 170 A. Este producto ofrece una solución de referencia para aplicaciones que requieren capacidad de accionamiento de nivel normal (tensión de umbral superior). Un valor Vth elevado para la cartera de nivel normal ofrece inmunidad al encendido falso debido a entornos ruidosos. Además, las relaciones QGD/QGS más bajas reducen el pico de los picos de tensión de la puerta, lo que contribuye aún más a la robustez contra encendido no deseado.
Aplicación alimentada por batería
Accionamientos de motor LVV
Resistencia encendida muy baja RDS(on)
100 % a prueba de avalancha
Temperatura de unión de 175 °C
Resistencia térmica superior
Carga de puerta baja
Reducción de pérdidas de conmutación
Adecuado para el funcionamiento a frecuencias más altas
Canal N
Tiene chapado de cable sin plomo.
Conforme a RoHS
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21
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