Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC032N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 170 A, Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- Código RS:
- 349-139
- Nº ref. fabric.:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,36 € | 8,72 € |
| 20 - 198 | 3,93 € | 7,86 € |
| 200 - 998 | 3,62 € | 7,24 € |
| 1000 - 1998 | 3,365 € | 6,73 € |
| 2000 + | 3,01 € | 6,02 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-139
- Nº ref. fabric.:
- ISC032N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 170A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 211W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 170A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 211W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel lógico, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Presenta una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora el rendimiento. El transistor presenta un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que garantiza unas características de conmutación óptimas. Además, ofrece una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que minimiza las pérdidas por conmutación.
Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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