Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC046N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 142 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

Código RS:: 349-143
Nº ref. fabric.:: ISC046N13NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC046N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 142 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 18	4,85 €	9,70 €
20 - 198	4,365 €	8,73 €
200 - 998	4,025 €	8,05 €
1000 - 1998	3,74 €	7,48 €
2000 +	3,345 €	6,69 €

*precio indicativo

Código RS:: 349-143
Nº ref. fabric.:: ISC046N13NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	142A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	135V
	Encapsulado	PG-TDSON-8
	Serie	ISC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4.6mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	211W
	Tensión directa Vf	1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	65nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 142A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V
	Encapsulado PG-TDSON-8
	Serie ISC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 211W
	Tensión directa Vf 1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - ISC046N13NM6ATMA1

COO (País de Origen):: CN

Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia global. El transistor también ofrece un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que garantiza un rendimiento de conmutación óptimo. Con una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, reduce las pérdidas de conmutación, por lo que es apto para aplicaciones de conmutación rápida. Además, el dispositivo es 100 % a prueba de avalancha, lo que garantiza su fiabilidad y robustez en condiciones exigentes.

Temperaturas de funcionamiento: 175°C

Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos según IEC61249-2-21

Clasificación MSL 1 según J-STD-020

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC046N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 142 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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