Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC046N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 142 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-143
- Nº ref. fabric.:
- ISC046N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,285 € | 8,57 € |
| 20 - 198 | 3,86 € | 7,72 € |
| 200 - 998 | 3,56 € | 7,12 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 349-143
- Nº ref. fabric.:
- ISC046N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 142A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 135V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 211W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 142A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 211W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia global. El transistor también ofrece un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), lo que garantiza un rendimiento de conmutación óptimo. Con una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, reduce las pérdidas de conmutación, por lo que es apto para aplicaciones de conmutación rápida. Además, el dispositivo es 100 % a prueba de avalancha, lo que garantiza su fiabilidad y robustez en condiciones exigentes.
Temperaturas de funcionamiento: 175°C
Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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