Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISCH42N04LM7ATMA1, VDSS 40 V, ID 541 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-391
- Nº ref. fabric.:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
16,86 €
(exc. IVA)
20,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 13 de diciembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,372 € | 16,86 € |
| 50 - 95 | 3,204 € | 16,02 € |
| 100 + | 2,966 € | 14,83 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-391
- Nº ref. fabric.:
- ISCH42N04LM7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 541A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.42mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 234W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 541A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.42mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 234W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 7 de 40 V de Infineon es un MOSFET de canal N de alto rendimiento diseñado para ofrecer una eficacia y una fiabilidad excepcionales en aplicaciones de conmutación de potencia. Con una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, ayuda a minimizar las pérdidas por conducción, lo que mejora la eficiencia general del sistema. Su resistencia térmica superior garantiza una disipación térmica eficaz, lo que lo hace idóneo para aplicaciones de alta potencia. Además, es 100 % a prueba de avalancha, lo que proporciona una robusta protección contra transitorios y asegura un rendimiento estable incluso en condiciones exigentes.
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Enlaces relacionados
- Transistor de potencia VDSS 135 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 200 V Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines