MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC011N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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Código RS:
273-2813
Nº ref. fabric.:
ISC011N03L5SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOSTM

Encapsulado

PG-TDSON-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

96W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

72nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N y está optimizado para un convertidor reductor de alto rendimiento. Este MOSFET está calificado según el estándar JEDEC y sin halógenos según IEC61249 2 21.

Conformidad con RUSP

Chapado sin plomo

Resistencia de encendido muy baja

Resistencia térmica superior

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