MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon BSC105N15LS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 76 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines

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Código RS:
349-397
Nº ref. fabric.:
BSC105N15LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

76A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

PG-TDSON-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
La familia de MOSFET de potencia OptiMOS 5 de 150 V de Infineon, de nivel lógico, ofrece las mismas excelentes prestaciones de los productos OptiMOS 5 de 150 V con la capacidad de funcionar con solo 4,5 V de Vgs. Ofrece una gestión térmica mejorada y una menor complejidad del sistema.

Pérdidas por conmutación muy bajas

Diseñado para rectificación síncrona que proporciona 5 V

Diseños altamente eficientes

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