MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-2814
- Nº ref. fabric.:
- ISC011N03L5SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
8,52 €
(exc. IVA)
10,31 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 80 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,704 € | 8,52 € |
| 50 - 495 | 1,664 € | 8,32 € |
| 500 - 995 | 1,612 € | 8,06 € |
| 1000 - 2495 | 1,572 € | 7,86 € |
| 2500 + | 1,54 € | 7,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-2814
- Nº ref. fabric.:
- ISC011N03L5SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOSTM | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 72nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOSTM | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N y está optimizado para un convertidor reductor de alto rendimiento. Este MOSFET está calificado según el estándar JEDEC y sin halógenos según IEC61249 2 21.
Conformidad con RUSP
Chapado sin plomo
Resistencia de encendido muy baja
Resistencia térmica superior
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 30 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 150 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 150 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 150 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia OptiMOST VDSS 30 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 135 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 40 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia OptiMOST VDSS 30 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines