Transistor de potencia, N-Canal Infineon ISC151N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 74 A, Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- Código RS:
- 349-149
- Nº ref. fabric.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
11,98 €
(exc. IVA)
14,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 4970 Envío desde el 25 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,99 € | 11,98 € |
| 20 - 198 | 5,39 € | 10,78 € |
| 200 - 998 | 4,97 € | 9,94 € |
| 1000 - 1998 | 4,615 € | 9,23 € |
| 2000 + | 4,135 € | 8,27 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-149
- Nº ref. fabric.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Transistor de potencia de la serie ISC de Infineon, disipación de potencia máxima de 200 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V - ISC151N20NM6ATMA1
Este transistor de potencia es un MOSFET de mejora de canal N de alta corriente diseñado para aplicaciones de montaje en superficie donde se requiere un rendimiento térmico y de conmutación robusto. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para tareas de conversión de potencia y control en sistemas electrónicos exigentes, ofreciendo una baja tensión directa y un encapsulado compacto PG-TDSON-8 FL para montajes con limitaciones de espacio.
Características y ventajas:
• La clasificación de 200 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente continua de 74 A para soportar cargas pesadas
• La Rds(on) de 15,1 mΩ reduce las pérdidas por conducción a alta corriente
• La disipación de potencia de 200 W admite una carga térmica elevada
• Carga de puerta de 31 nC para un control de conmutación rápido
• El rango de -55 °C a 175 °C es adecuado para el funcionamiento a temperaturas extremas
• Corriente continua de 74 A para soportar cargas pesadas
• La Rds(on) de 15,1 mΩ reduce las pérdidas por conducción a alta corriente
• La disipación de potencia de 200 W admite una carga térmica elevada
• Carga de puerta de 31 nC para un control de conmutación rápido
• El rango de -55 °C a 175 °C es adecuado para el funcionamiento a temperaturas extremas
Aplicaciones
• Adecuado para la etapa de potencia del convertidor reductor síncrono
• Ideal para la conmutación de patas de inversor de accionamiento de motor
• Se utiliza con módulos de distribución de potencia de alta corriente
• Se puede utilizar para transistores de fuente de alimentación de servidor
• Apto para diseños de reguladores de conmutación industriales
• Ideal para la conmutación de patas de inversor de accionamiento de motor
• Se utiliza con módulos de distribución de potencia de alta corriente
• Se puede utilizar para transistores de fuente de alimentación de servidor
• Apto para diseños de reguladores de conmutación industriales
¿Qué método de montaje requiere para el montaje?
Se suministra en un encapsulado PG-TDSON-8 FL de montaje en superficie diseñado para soldadura por reflujo en PCB.
¿Qué tensión de tensión puede soportar el dispositivo en entornos de conmutación?
El dispositivo está especificado para manejar una tensión máxima de drenaje-fuente de 200 V durante el funcionamiento.
¿Cómo afecta el requisito de accionamiento de puerta a la selección del controlador?
La tolerancia máxima de puerta-fuente es de 20 V y la carga de puerta típica en Vgs es de 31 nC, lo que determina las necesidades de corriente y temporización del controlador.
¿Qué consideraciones térmicas se recomiendan para el uso de alta potencia?
Con una disipación de potencia máxima de 200 W, es necesario un alivio térmico de PCB adecuado y medidas de disipación de calor para gestionar la temperatura de unión.
Enlaces relacionados
- Transistor de potencia VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 135 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Transistor de potencia VDSS 40 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon VDSS 120 V Mejora de 8 pines, 1
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- MOSFET Infineon ISC015N06NM5LF2ATMA1 ID 275 A, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 30 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 30 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines