Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC151N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 74 A, Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- Código RS:
- 349-149
- Nº ref. fabric.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 20 - 198 | 4,435 € | 8,87 € |
| 200 - 998 | 4,085 € | 8,17 € |
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- Código RS:
- 349-149
- Nº ref. fabric.:
- ISC151N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento. Registra una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que ayuda a minimizar las pérdidas por conducción y a mejorar la eficacia del sistema. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), este transistor garantiza un rendimiento de conmutación optimizado. También ofrece una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que reduce las pérdidas por conmutación y mejora la eficacia general en circuitos de conmutación rápida. Diseñado para funcionar a una temperatura de 175 °C, proporciona gran fiabilidad en entornos exigentes y ofrece un rendimiento térmico superior para un funcionamiento robusto.
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
100 % a prueba de avalancha
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