MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC025N08NM5LF2ATMA1, VDSS 60 V, ID 275 A, Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines

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Código RS:
348-846
Nº ref. fabric.:
ISC025N08NM5LF2ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

275A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PG-TDSON-8 FL

Serie

OptiMOS-TM5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.55mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

217W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El FET lineal OptiMOS 5 de 60 V de Infineon en un encapsulado PQFN 5x6 mm (SuperSO8), que ofrece la resistencia de estado encendido RDS(on) más baja del sector y una amplia zona de funcionamiento seguro (SOA) a 25˚C y 125˚C. El FET lineal OptiMOS es un enfoque revolucionario que resuelve la disyuntiva entre la resistencia en estado encendido y la capacidad en modo lineal.

Alta corriente de entrada habilitada

Rápido arranque y menor tiempo de inactividad

Tamaño estándar de la industria

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