MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC010N04LSIATMA1, VDSS 40 V, ID 275 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 214-8970
- Nº ref. fabric.:
- BSC010N04LSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
6,84 €
(exc. IVA)
8,275 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4050 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,368 € | 6,84 € |
| 25 - 45 | 1,176 € | 5,88 € |
| 50 - 120 | 1,094 € | 5,47 € |
| 125 - 245 | 1,028 € | 5,14 € |
| 250 + | 0,944 € | 4,72 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-8970
- Nº ref. fabric.:
- BSC010N04LSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 275A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 87nC | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 275A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 87nC | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon las nuevas familias de productos 40V y 60V incorporan no solo el R DS(on) más bajo del sector, sino también un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Advanced Thin Wafer ha conseguido un 15 % menos de R DS(on) y un 31 % menos de mérito (R DS(on) x Q g) en comparación con dispositivos alternativos. Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia.
Diodo Schottky integrado monolítico
Optimizado para rectificación síncrona
100 % a prueba de avalancha
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PG-TDSON-8-34 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- MOSFET Infineon ISC015N06NM5LF2ATMA1 ID 275 A, PG-TDSON-8 FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines