MOSFET Infineon IAUC60N04S6L039ATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, PG-TDSON

Código RS:: 258-0926
Nº ref. fabric.:: IAUC60N04S6L039ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IAUC60N04S6L039ATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, PG-TDSON

4890 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)

0,304 €

(exc. IVA)

0,368 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
5000 +	0,304 €	1.520,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 258-0926
Nº ref. fabric.:: IAUC60N04S6L039ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IAUC60N04S6L039ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

La tecnología MOS de potencia Infineon OptiMOS 6 de 40 V en el encapsulado sin cables SS08 de 5 x 6 mm2 con el más alto nivel de calidad y robustez para aplicaciones de automoción. Una cartera de 16 productos que permite al cliente encontrar el mejor producto para su aplicación. Todo esto permite el mejor producto de su clase de FOM y rendimiento en el mercado. El nuevo producto SS08 ofrece una corriente nominal continua de 120 A, que es >Un 25% más alto que el DPAK estándar en casi la mitad de su área de huella.

Certificación AEC Q101
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
100 % probado en avalancha

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	PG-TDSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial

MOSFET Infineon IAUC60N04S6L039ATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, PG-TDSON

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Especificaciones

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