MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4621
- Nº ref. fabric.:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
4.095,00 €
(exc. IVA)
4.955,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,819 € | 4.095,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4621
- Nº ref. fabric.:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.1mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS-TM5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 60 A - BSC098N10NS5ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en rangos de temperatura exigentes. Admite altas corrientes continuas y está diseñado para aplicaciones que requieren una conducción eficiente y una conmutación rápida en temperaturas industriales extremas.
Características y ventajas:
• La clasificación de 100 V proporciona capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 60 A permite la manipulación de cargas pesadas
• El bajo RDS de 9,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 69 W soporta una carga térmica significativa
• La carga de puerta típica de 22 nC permite una conmutación sensible
• La tolerancia de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La corriente de drenaje continua de 60 A permite la manipulación de cargas pesadas
• El bajo RDS de 9,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 69 W soporta una carga térmica significativa
• La carga de puerta típica de 22 nC permite una conmutación sensible
• La tolerancia de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Apto para etapas de convertidor dc-dc de alta tensión
• Ideal para etapas de corriente de accionamiento de motor en electrónica de potencia
• Se utiliza con reguladores reductores síncronos para mayor eficiencia
• Se puede utilizar para conmutación de alta corriente en carriles de alimentación de servidor
• Apto para módulos de gestión de baterías y distribución de potencia
• Ideal para etapas de corriente de accionamiento de motor en electrónica de potencia
• Se utiliza con reguladores reductores síncronos para mayor eficiencia
• Se puede utilizar para conmutación de alta corriente en carriles de alimentación de servidor
• Apto para módulos de gestión de baterías y distribución de potencia
¿Qué encapsulado se utiliza y cómo afecta al montaje de la placa?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TDSON de 8 contactos que simplifica la automatización de recogida y colocación y la soldadura para diseños de placa compactos.
¿En qué extremos térmicos puede funcionar?
El dispositivo está especificado para funcionar desde −55 °C hasta 150 °C para escenarios de funcionamiento ambiental o de unión.
¿Cómo influye la configuración del canal en el control?
El canal de mejora de tipo N requiere una tensión de puerta a fuente positiva para conducir, lo que permite un diseño de accionamiento de puerta sencillo para aplicaciones de conmutación.
¿Cuál es la tensión de puerta máxima que debe aplicarse?
La tensión de puerta a fuente no debe exceder los 20 V para evitar comprometer el aislamiento de la puerta y la integridad del dispositivo.
¿Cómo admite el tamaño del encapsulado diseños densos?
Su tamaño compacto de 5,35 x 6,1 x 1,2 mm facilita los diseños de alta densidad al tiempo que mantiene las capacidades de manejo de potencia.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines