MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
222-4621
Nº ref. fabric.:
BSC098N10NS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS-TM5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

69W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.35mm

Altura

1.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.1 mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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