MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC098N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4622
- Nº ref. fabric.:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,829 € | 18,29 € |
| 50 - 90 | 1,738 € | 17,38 € |
| 100 - 240 | 1,666 € | 16,66 € |
| 250 - 490 | 1,59 € | 15,90 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4622
- Nº ref. fabric.:
- BSC098N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
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