MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 288 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 233-4392
- Nº ref. fabric.:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
6.865,00 €
(exc. IVA)
8.305,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 14 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 1,373 € | 6.865,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 233-4392
- Nº ref. fabric.:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 288A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.89kW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 288A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie ISC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.89kW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie ISC de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 288 A - ISC011N06LM5ATMA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango térmico y es adecuado para sistemas electrónicos exigentes que requieren un dispositivo de mejora de canal N con una robusta capacidad de drenaje a fuente y tolerancia de tensión de puerta.
Características y ventajas:
• La resistencia al drenaje de 60 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 288 A admite conducción de cargas pesadas
• La Rds(on) de 1.15 mΩ minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 1,89 kW permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta de 170 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• El valor nominal de puerta de 20 V permite un amplio margen de accionamiento de puerta
• La corriente continua de 288 A admite conducción de cargas pesadas
• La Rds(on) de 1.15 mΩ minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 1,89 kW permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta de 170 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• El valor nominal de puerta de 20 V permite un amplio margen de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores de alta corriente y fuentes de alimentación
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren una gran capacidad de conducción
• Ideal para etapas dc-dc en sistemas de alta potencia
• Puede utilizarse para servidores y módulos de alimentación de telecomunicaciones
• Adecuado para etapas de potencia de montaje en superficie en placas compactas
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren una gran capacidad de conducción
• Ideal para etapas dc-dc en sistemas de alta potencia
• Puede utilizarse para servidores y módulos de alimentación de telecomunicaciones
• Adecuado para etapas de potencia de montaje en superficie en placas compactas
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?
Funciona desde -55 °C hasta 175 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos extremos.
¿Qué estilo de montaje se recomienda para el montaje de placas?
Se suministra en un encapsulado TDSON diseñado para montaje en superficie en PCB.
¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para las conexiones?
El dispositivo utiliza una configuración de 8 contactos para alojar terminaciones de puerta, drenaje y fuente.
¿Qué tipo y modo de canal determinan su comportamiento de conducción?
Se trata de un dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora para conmutación MOS estándar.
¿Qué huella física deben permitir los diseñadores en la PCB?
El encapsulado mide 6,1 x 5,35 x 1,2 mm y debe disponer de un área de aterrizaje de soldadura adecuada.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines