MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 288 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
233-4392
Nº ref. fabric.:
ISC011N06LM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

288A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TDSON

Serie

ISC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.15mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

170nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.89kW

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.35mm

Anchura

1.2 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon en el encapsulado SuperSO8 amplía la gama de productos OptiMOS 5 y 3 y permite una mayor densidad de potencia además de mejorar la solidez, lo que responde a la necesidad de reducir el coste del sistema y aumentar el rendimiento. Dispone de una carga de recuperación inversa baja (Qrr) que mejora la fiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del sobreimpulso de tensión, lo que minimiza la necesidad de circuitos amortiguadores, lo que reduce los costes y el esfuerzo de ingeniería.

Temperatura de funcionamiento nominal superior hasta 175 °C.

Rendimiento térmico superior

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