MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 288 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 233-4396
- Nº ref. fabric.:
- ISZ034N06LM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 233-4396
- Nº ref. fabric.:
- ISZ034N06LM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 288A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 288A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie ISC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie ISC de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 288 A - ISZ034N06LM5ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en conjuntos de potencia compactos. Funciona en un amplio rango de temperatura ambiente y es adecuado para aplicaciones que requieren bajas pérdidas de conducción y conmutación rápida controlada por puerta, al tiempo que está alojado en un pequeño encapsulado TDSON.
Características y ventajas:
• Corriente de drenaje continua máxima de 288 A para manejar corrientes elevadas
• Baja resistencia de drenaje a fuente de 3,4 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Valor nominal de drenaje-fuente de 60 V para etapas de potencia de tensión media
• Carga de puerta típica de 53 nC que permite transiciones de conmutación eficientes
• Disipación de potencia máxima de 83 W para soportar condiciones de carga elevadas
• Resistencia de fuente de puerta de 20 V para márgenes de accionamiento de puerta robustos
• Baja resistencia de drenaje a fuente de 3,4 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Valor nominal de drenaje-fuente de 60 V para etapas de potencia de tensión media
• Carga de puerta típica de 53 nC que permite transiciones de conmutación eficientes
• Disipación de potencia máxima de 83 W para soportar condiciones de carga elevadas
• Resistencia de fuente de puerta de 20 V para márgenes de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Apto para etapas de accionamiento de motor de alta corriente
• Se utiliza con convertidores reductores síncronos en fuentes de alimentación
• Ideal para distribución de potencia de DC y conmutación de carga
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y el equilibrado de celdas
• Apto para conjuntos de alimentación compactos de montaje en superficie
• Se utiliza con convertidores reductores síncronos en fuentes de alimentación
• Ideal para distribución de potencia de DC y conmutación de carga
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y el equilibrado de celdas
• Apto para conjuntos de alimentación compactos de montaje en superficie
¿Qué permite el funcionamiento en rangos de temperatura extremos?
La estructura de semiconductores internos y los valores probados permiten el uso desde −55 °C hasta 175 °C.
¿Cómo admite el encapsulado la gestión térmica?
El encapsulado de montaje en superficie TDSON proporciona una ruta térmica de perfil bajo para la disipación de calor dentro de los diseños de PCB.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para el rendimiento de conmutación?
Los circuitos de accionamiento deben admitir una excursión de puerta-fuente de hasta 20 V y gestionar la carga de puerta típica de 53 nC para la velocidad de conmutación deseada.
¿Cómo deben tener en cuenta los diseñadores las pérdidas por conducción a alta corriente?
Utilice el valor de Rds(on) de 3,4 mΩ para calcular las pérdidas I2R y verificar los conductos de cobre y térmicos de PCB para gestionar el calor resultante.
¿Qué capacidad de potencia de pico se indica para un funcionamiento sostenido?
El dispositivo está especificado con una disipación de potencia máxima de 83 W para consideraciones de diseño térmico continuo.
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