MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
258-0919
Nº ref. fabric.:
IAUC120N06S5L032ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TDSON

Serie

IAUC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La tecnología OptiMOS 5 de Infineon para MOSFET de 60 V en el encapsulado de tamaño pequeño SSO8 estándar del sector con rendimiento líder que proporciona baja capacitancia de RDSon, QG y puerta y minimiza las pérdidas de conducción y conmutación.

Comportamiento EMC mejorado

Calificación AEC−Q101 y dispositivo compatible con PPAP

Conformidad con RoHS

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