MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUC120N04S6L012ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
241-9890
Nº ref. fabric.:
IAUC120N04S6L012ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TDSON

Serie

IAUC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia Infineon OptiMOS 6 es un MOSFET de potencia de canal N para aplicaciones de automoción. Está probado al 100 % para avalancha.

Certificación AEC Q101

MSL1 de hasta 260 °C de reflujo de pico

Producto verde (compatible con RoHS)

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