MOSFET, N-Canal Infineon IAUC120N04S6L012ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
241-9890
Nº ref. fabric.:
IAUC120N04S6L012ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IAUC

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia Infineon OptiMOS 6 es un MOSFET de potencia de canal N para aplicaciones de automoción. Está probado al 100 % para avalancha.

Certificación AEC Q101

MSL1 de hasta 260 °C de reflujo de pico

Producto verde (compatible con RoHS)

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