MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUC41N06S5N102ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 249-8629
- Nº ref. fabric.:
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
5,15 €
(exc. IVA)
6,25 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5000 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,03 € | 5,15 € |
| 50 - 120 | 0,908 € | 4,54 € |
| 125 - 245 | 0,842 € | 4,21 € |
| 250 - 495 | 0,784 € | 3,92 € |
| 500 + | 0,732 € | 3,66 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 249-8629
- Nº ref. fabric.:
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | IAUC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie IAUC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de automoción Infineon 60V, N-Ch, 10,2 mohm con tecnología OptiMOS 5 para MOSFET 60V en el encapsulado S3O8 estándar del sector de tamaño pequeño de 5 mm x 6 mm con rendimiento líder que proporciona baja capacitancia de puerta, QG y RDSon y minimiza las pérdidas de conmutación y conducción.
MOSFET de potencia OptiMOS para aplicaciones de automoción
Canal N, modo de mejora, nivel normal
Calificación ampliada más allá de AEC-Q101
Pruebas eléctricas mejoradas
Diseño robusto
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
100% Avalanche probado
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, TDSON de 8 pines