MOSFET Infineon BSC077N12NS3GATMA1, VDSS 120 V, ID 98 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 754-5285
- Nº ref. fabric.:
- BSC077N12NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Precio Unidad
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| Unidades | Por unidad |
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- Código RS:
- 754-5285
- Nº ref. fabric.:
- BSC077N12NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 98 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 120 V |
| Tipo de Encapsulado | TDSON |
| Serie | OptiMOS 3 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7,7 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 139 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 6.1mm |
| Longitud | 5.35mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 66 nC a 10 V |
| Material del transistor | Si |
| Altura | 1.1mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 754-5285
- Nº ref. fabric.:
- BSC077N12NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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