MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
249-8628
Nº ref. fabric.:
IAUC41N06S5N102ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IAUC

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción Infineon 60V, N-Ch, 10,2 mohm con tecnología OptiMOS 5 para MOSFET 60V en el encapsulado S3O8 estándar del sector de tamaño pequeño de 5 mm x 6 mm con rendimiento líder que proporciona baja capacitancia de puerta, QG y RDSon y minimiza las pérdidas de conmutación y conducción.

MOSFET de potencia OptiMOS para aplicaciones de automoción

Canal N, modo de mejora, nivel normal

Calificación ampliada más allá de AEC-Q101

Pruebas eléctricas mejoradas

Diseño robusto

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (compatible con RoHS)

100% Avalanche probado

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