Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG020N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 297 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-136
- Nº ref. fabric.:
- IPTG020N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-136
- Nº ref. fabric.:
- IPTG020N13NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 297A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 135V | |
| Encapsulado | PG-HSOG-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 395W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 159nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 297A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 135V | ||
Encapsulado PG-HSOG-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 395W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 159nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 135 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para ofrecer un rendimiento muy eficaz en aplicaciones de potencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que minimiza las pérdidas de conducción para mayor eficiencia energética. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), garantiza un rendimiento de conmutación óptimo. El MOSFET también ofrece una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que mejora la eficacia de la conmutación. Además, es 100 % a prueba de avalancha para garantizar su fiabilidad y puede funcionar a 175 °C, por lo que es idóneo para entornos exigentes y altas temperaturas.
Optimizado para accionamientos de motor y aplicaciones alimentadas con batería
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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