Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG017N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 331 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines
- Código RS:
- 349-135
- Nº ref. fabric.:
- IPTG017N12NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-135
- Nº ref. fabric.:
- IPTG017N12NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 331A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | PG-HSOG-8 | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 395W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 113nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 331A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado PG-HSOG-8 | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 395W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 113nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 120 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que garantiza unas pérdidas de conducción mínimas para mejorar el rendimiento. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), ofrece unas características de conmutación superiores. El MOSFET también tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que contribuye a reducir las pérdidas por conmutación. Su alto índice de energía de avalancha asegura su robustez bajo tensión y funciona de forma fiable a una temperatura de 175 °C, por lo que es apto para entornos exigentes y altas temperaturas.
Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
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