Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG017N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 331 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines

Código RS:: 349-135
Nº ref. fabric.:: IPTG017N12NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG017N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 331 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines

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Código RS:: 349-135
Nº ref. fabric.:: IPTG017N12NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	331A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	120V
	Encapsulado	PG-HSOG-8
	Serie	IPT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.7mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	113nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	395W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto Transistor de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 331A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V
	Encapsulado PG-HSOG-8
	Serie IPT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 113nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 395W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS, MSL1 J-STD-020, IEC61249-2-21
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPTG017N12NM6ATMA1

COO (País de Origen):: MY

Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 120 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Brinda una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que garantiza unas pérdidas de conducción mínimas para mejorar el rendimiento. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), ofrece unas características de conmutación superiores. El MOSFET también tiene una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que contribuye a reducir las pérdidas por conmutación. Su alto índice de energía de avalancha asegura su robustez bajo tensión y funciona de forma fiable a una temperatura de 175 °C, por lo que es apto para entornos exigentes y altas temperaturas.

Optimizado para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona

Revestimiento de plomo: sin Pb

Conforme a RoHS

Sin halógenos según IEC61249-2-21

Clasificación MSL 1 según J-STD-020

Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IPTG017N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 331 A, Mejora, PG-HSOG-8 de 8 pines

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