MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT014N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 331 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-2792
- Nº ref. fabric.:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 273-2792
- Nº ref. fabric.:
- IPT014N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 331A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 160nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 331A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 160nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal N de 80 V y está optimizado para aplicaciones a batería. Está cualificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones de destino. Este MOSFET está completamente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales y sin halógenos conforme a IEC61249 2 21.
Chapado sin plomo
Conformidad con RUSP
Excelente carga de compuerta
Resistencia de encendido muy baja
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