MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60T022S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
349-260
Nº ref. fabric.:
IPT60T022S7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

390W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

150nC

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC, JS-001, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este CoolMOS S7 de Infineon presenta los valores Rdson más bajos para un MOSFET SJ de alta tensión, con un notable aumento de la eficiencia energética. El sensor de temperatura integrado aumenta la precisión y robustez de la detección de la temperatura de unión, al tiempo que mantiene una implementación sencilla y sin problemas. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. Es ideal para relés de estado sólido, diseños de interruptores automáticos y rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores. El nuevo sensor de temperatura mejora las prestaciones del S7, lo que permite aprovechar al máximo el transistor de potencia.

La tecnología CoolMOS S7 permite el RDS(on) más bajo en el espacio más pequeño

Rendimiento de precio optimizado en aplicaciones de conmutación de baja frecuencia

Alta capacidad de corriente de impulso

Diagnóstico perfecto en el sistema más bajo

Función de detección de temperatura para protección y utilización optimizada del dispositivo térmico

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